存储芯片市场真的复苏了吗？

　　近日，两大存储品类仿佛都进入复苏期。研究机构TrendForce（集邦咨询）最新数据显示，2025年第二季度DRAM（动态随机存取存储器）的整体营收为316.3亿美元，季增17.1%，而NAND（闪存芯片）的整体出货量持续增长，前五大品牌厂合计营收季增22%，至146.7亿美元。但值得注意的是，头部厂商的产能调控制造了短期供需错配，营造出了产品出货量和价格大幅提升的积极氛围，而需求端的真实现象是AI与非AI的产品需求差异巨大，存储市场尚未真正进入新一轮复苏周期，而是陷入了“头部企业调控影响供需、技术分化加剧失衡、周期规律紊乱”的复杂困境。

　　供需错配导致复苏幻象

　　存储市场当前的“复苏”态势，很大程度上是三星、SK海力士、美光等头部企业产能调整与技术路线选择共同作用的结果，而非真实需求全面拉动。

　　DRAM方面，TrendForce数据显示，2025年第二季度DRAM产业因一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM（高带宽内存）出货规模扩张，平均销售单价（ASP）随PC OEM（电脑生产代工厂）、智能手机、CSP（云服务供应商）等采购方的购买热情增温而回升，加速制造商去库存化，但这种价格上涨存在明显的技术分化驱动特征，头部原厂将产能大量转向HBM、DDR5等高阶产品，并宣布PC/Server用DDR4进入生命周期末期（EOL），直接引发下游对DDR4的急性备货，预计2025年第三季度Consumer DDR4 DRAM合约价到季增高达85%~90%，但这种临时性调整造成的供给空窗期并非存储市场复苏的信号。

　　NAND市场同样充满不确定性。尽管第二季度NAND合约价季增5%~10%，但细分市场表现严重分化。受惠于NVIDIA Blackwell平台出货的Enterprise SSD价格上涨10%，而智能手机用eMMC/UFS产品涨幅不足5%，呈现“旺季不旺”的反常态势。这种分化源于制造商的利润导向策略。据悉，三星与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND的投资步伐。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域，导致对NAND的投资负担加重。

　　三星在韩国平泽P1厂的第9代NAND转换投资已传出延后消息，原计划最快在2025年第二季度启动，但目前尚未落实。Digitimes9月1日发布消息称，三星原计划在西安X2产线率先导入第9代NAND的混合键合技术，但近期已决定取消，并计划从400层以上的第10代NAND起正式导入。

　　不过，第十代NAND的量产投资预计最快也要到2026年中期；SK海力士同样将大部分资金集中于最先进的DRAM和HBM领域。由于其在第10代NAND的开发进度落后于三星，短期内也难以期待新的投资。SK海力士在2025年第二季度财报会议中表示，NAND投资将依据下游需求情况，维持审慎步调，并以提升获利性为核心目标；西部数据和美光将NAND产量削减15%，并优先保障高毛利的企业级产品供应。

　　需求端方面，AI与非AI产品需求差异巨大，增加了市场供需走向的不确定性。AI服务器和数据中心建设确实带动HBM、企业级SSD等高端技术产品需求增长，这是源于AI大模型训练和推理对存储高带宽、低延迟、大容量的严苛要求。以HBM为例，2025年需求持续井喷，“存储三巨头”均宣布推动HBM增产，SK海力士预测AI服务器出货量增长将带动HBM需求持续攀升。专家预测，2025年HBM出货量同比增长65%，并同步拉动DDR5相关产品需求。

　　反观非AI产品需求，尤其是消费电子市场，对中低端存储的需求却持续低迷。IDC数据显示，全球智能手机出货量预计在2025年同比增长仅为1%，增速较第一季度的1.5%进一步放缓，笔记本电脑出货量亦呈现下滑态势。美光首席财务官Mark Murphy在2025财年第二财季财报电话会议中指出，除了HBM、DDR5等AI产品线外，价格较低的消费级DRAM在产品结构中仍占有相当比例，加上NAND Flash闪存芯片需求低迷，产能利用率不佳，预计第三财季毛利率将进一步下滑。这种非AI需求的疲软与AI产品的火热形成鲜明反差，成为供需结构扭曲的核心诱因之一。

　　值得注意的是，当前的涨价幻象，正在引发中小厂商的误判。存储芯片设计公司群联电子、慧荣科技在第二季度加大了对消费级NAND控制器的备货，却因下游终端需求不足导致库存积压，群联电子第二季度库存周转天数从45天延长至62天，不得不下调第三季度营收预期。

　　TrendForce预测，2026年第一季度存储芯片价格将进入下跌周期，其中NAND因消费端需求未达预期，价格环比跌幅可能达10%~15%，这表明当前涨价缺乏可持续需求支撑。

　　传统周期性规律生变

　　当前，存储市场的传统周期性特征在多种因素的叠加下越发紊乱。过去三十年，存储芯片市场遵循着“产能过剩-价格下跌-厂商减产-供需平衡-价格回升-产能扩张-再次过剩”的周期性规律，一个完整周期通常为3-4年。但从2023年至今，这一规律被彻底打破。本应在2024年进入下行周期的存储市场，因AI需求爆发和头部厂商控产，价格在2025年意外反弹；而传统消费级市场的低迷，又让周期复苏的“普适性”消失。

　　从供需层面看，周期的“驱动逻辑”从“需求主导”转向“供给调控主导”。2025年全球DRAM位元需求同比增长13%，但产能增长达16%，且产能集中投向HBM、DDR5等高端产品，中低端产品产能收缩15%，这种“结构性产能过剩与短缺并存”的状态，让供需缺口收窄节奏充满不确定性，为2026年价格回调埋下隐患，无法再用传统周期理论进行预测回调幅度。

　　更严重的是，周期的“幅度波动”变得异常剧烈，市场稳定性大幅下降。在传统周期中DRAM价格的最大涨幅通常不超过50%，最大跌幅不超过40%，且价格波动呈现出“渐进式”特征；但此次周期中，价格波动的幅度和速度都远超历史水平。以DDR5-4800内存颗粒为例，2024年第四季度价格还处于每颗1.2美元的谷底，2025年第二季度就飙升至每颗2.1美元，短短6个月内涨幅达75%，远超传统周期的涨幅上限；而HBM价格的波动更为极端，2024年第三季度HBM2e的价格为25美元/GB，2025年第二季度已涨至45美元/GB，涨幅达80%，这种“过山车式”的价格波动，不仅让下游模组厂商、终端设备厂商面临成本压力，也加剧了整个产业链的经营风险。

　　专家表示，存储市场正处于周期逻辑重构的关键阶段，短期来看，原厂调控与补库行为或维持价格高位至2025年年底；中期而言，2026年第一季度大概率成为本轮上行周期的终结点，消费电子需求疲软与中低端产能释放将推动市场进入调整阶段。(记者 许子皓)

　　 转自：中国电子报