LED硅衬底技术有望获得2015年度国家科学技术奖

　　据悉，2015年度国家科学技术奖拟于2016年1月份在人民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。硅衬底项目的主要参与人员孙钱表示，从国家战略层面讲，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业。

　　与硅衬底技术并列LED三大技术路线的蓝宝石衬底技术曾获2014年诺贝尔物理学奖。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

　　12月16日，国务院常务会议通过2015年度国家科学技术奖评选结果，根据此前的初评公示及历史经验判断，2015年国家技术发明一等奖有望被“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”夺取，因为这是本年度唯一一个入选该奖项初评一等奖的项目。

　　“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”由江西省申报，项目主要参与人员包括南昌大学的江风益教授、晶能光电有限公司的孙钱等人。

　　项目资料显示，该项目率先攻克硅基相关难题，所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位，并与碳化硅、蓝宝石两条技术路线水平持平；并从衬底加工、外延生长、芯片制造、器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术，自成体系；该项技术已经申请或拥有国际国内专利232项，其中已授权发明专利127项，实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。

　　据介绍，国家技术发明一等奖判定标准为：属国内外首创的重大技术发明或创新，技术经济指标达到了同类技术领先水平，且推动相关领域技术进步且已产生显著的经济或者社会效益。