目前全球单晶格局若不考虑中国则单晶处于下降趋势，主要由于海外单晶组件价格长期高于多晶组件 0.06-0.1 美元/瓦，在性价比区间范围之外，随着 BOS 成本不断下降，海外单晶组件渗透率在不断下降。

　　但是由于 2016 年以来单晶成本快速下降，单晶的成本优势逐步凸显，未来单多晶组件价差将会缩小至 0.01-0.02 美元/瓦，性价比逐步凸显，未来占比必然逐渐上升；

　　1、多晶金刚线改造无法逆转单晶渗透率提升的趋势

　　单、多晶硅片主要差异在于长晶与铸锭环节，拉晶成本一直以来明显高于铸锭，所以单晶成本优势不明显，随着拉晶速度和工艺的不断成熟，拉晶的成本劣势已经逐步消失。而在目前的工艺水平下，单晶电池的转换效率比多晶电池转换效率高 1.5%，价格多晶转化效率为 20%，则单晶电池转换效率比多晶电池高 7.5%，按照目前多晶组件34 美分/瓦计算，7.5%的效率提升价值2.55 美分/瓦，单多晶之间除了拉晶有一定差异，则后端制造成本完全一致。

　　目前以隆基为代表单晶企业，将拉晶成本下降至 40-50 元/kg，即每瓦仅 1.9-2.3 美分/瓦，多晶即使完成金刚线和黑硅改造，成本优势依旧不明显。

　　单晶硅片非硅成本接近多晶硅片：2016年隆基非硅成本下降速度大大高于保利协鑫，成本约为 0.065 美元/W，与保利协鑫多晶硅片 0.065 美元/W非硅成本相同。

多晶硅片与单晶硅片成本与效率提升差异测算

数据来源：公开资料整理

　　2、海外单、多晶组件价差长期较大，单晶渗透率有待提升

　　海外单晶组件渗透率逐步下降：排除中国的因素，近年来海外市场单晶占比迅速下降至2016 年的 12%，远低于国内 27%的占比；日本季度装机单多晶格局也可看出单晶占比的下降趋势。

　　单、多晶组件价差较大，海外单晶性价比不明显：海外市场的单多晶组件价差保持在6-10 美分/W 左右波动保持动态平衡，随着 BOS（非组件成本）的下降，单晶组件性价比优势不明显。

　　国内价差缩小，推动单晶渗透率不断提升：国内装机 2014 年开始应用单晶组件，2015年与 2016 年由于隆基股份单晶硅片成本迅速下降，单晶组件价格仅高于多晶组件 0.1元/瓦，所以单晶组件在国内占比迅速由 5%上升至 27%。

　　单晶性价比未来将持续提升且高于单晶：单晶硅片在高效电池和薄片化领域有明显的应用优势。国内领先企业单晶硅片厚度年内可从190-200μm的水平逐步下降到 180μm，未来有望降至 150μm。而多晶硅片的易碎，不易弯折，在薄片化的应用上有先天的劣势。

　　在高效电池的应用上，目前所有已知的高效电池技术均已经成功应用于单晶硅片，高效记录保持者 IBC 和 HIT 技术均是采用单晶硅片，而多晶硅片由于晶体的不规则，所以导致了应用上确实存在难度。

海外单多晶占比变化（不考虑中国）

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日本市场单多晶格局

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海外单、多晶组件价格及其价差（单位： $/W）

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国内单多晶组件价格及其价差（单位： $/W ）

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单晶电池效率整体高于多晶电池

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最高效的电池技术均成功应用于单晶

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