“十二五”末半导体照明产业规模将达到5000亿元

 　　到2015年，实现从基础研究、前沿技术、应用技术到示范应用全创新链的重点技术突破，关键生产设备、重要原材料实现国产化。

　　技术快速发展

　　《规划》介绍，近年来，半导体照明技术快速发展，正向更高光效、更优发光品质、更低成本、更多功能、更可靠性能和更广泛应用方向发展。目前，国际上大功率白光LED(发光二极管)产业化的光效水平已经超过130lm/W(流明/瓦)。实验室LED光效超过200lm/W。虽然LED的技术创新和应用创新速度远远超过预期，但与400lm/W的理论光效相比，仍有巨大的发展空间。半导体照明在技术快速发展的同时也不断催生出新的应用。目前，竞争焦点主要集中在GaN基LED外延材料与芯片、高效和高亮度大功率LED器件、LED功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及相关重大装备开发等方面。

　　OLED(有机发光二极管)作为柔和的平面光源，与LED光源可以形成互补优势，近年来发展同样迅速。据报道，实验室白光OLED光效已达128lm/W。与之相关的有机发光材料、生产装备和新型灯具的研发正顺势而上。目前，市场上已有少量OLED照明产品。

　　产业爆发式增长

　　近年来，许多发达国家/地区政府均安排了专项资金，设立了专项计划，制定了严格的白炽灯淘汰计划，大力扶持本国和本地区半导体照明技术创新与产业发展。全球产业呈现出美、日、欧三足鼎立，韩国、中国大陆与台湾地区奋起直追的竞争格局。半导体照明产业已成为国际大企业战略转移的方向，产业整合速度加快，商业模式不断创新。瞄准新兴应用市场，国际大型消费类电子企业开始从产业链后端向前端发展。以中国台湾地区为代表的集成电路厂商也加快了在半导体照明领域的布局。专利、标准、人才的竞争达到白热化，产业发展呈爆发式增长态势，已经到了抢占产业制高点的关键时刻。

　　在国家研发投入的持续支持和市场需求的拉动下，我国半导体照明技术创新能力得到了迅速提升，产业链上游技术创新与国际水平差距逐步缩小，下游照明应用有望通过系统集成技术创新实现跨越式发展。部分产业化技术接近国际先进水平，功率型白光LED封装后光效超过110lm/W，接近国际先进水平。指示、显示和中大尺寸背光源产业初具规模，产业链日趋完整，功能性照明节能效果已经显现。标准制定及检测能力有了长足进步，已制定并公布了22项国家标准和行业标准。

　　制定规划意义重大

　　科技部高新司负责人表示，随着人们对更高照明品质的追求，半导体照明应用市场的快速发展，以及城市化进程对节能减排的压力日益增大，迫切需要开展LED光源及照明产品的产业化关键技术研发;与此同时，半导体照明产业发展也有利于推动新型显示、数字家电、汽车、装备等国民经济支柱产业的转型升级。此外，半导体照明产业的技术、劳动双密集型特征，可以创造更多的就业岗位。

　　该负责人介绍，我国半导体照明产业与国际先进水平相比还存在不小差距，主要体现在：MOCVD等核心设备及部分原材料仍然依赖进口;外延芯片缺乏核心专利;测试方法及设备支撑不足;相关专利及技术规范研究和布局落后于产业发展。

　　该负责人表示，在抢占产业制高点的关键时期，制定半导体照明专项规划，有助于进一步明确未来五年我国技术突破的重点方向，从而集中资源解决产业发展技术瓶颈，逐步缩小产业链上游技术创新与国际水平差距，通过系统集成创新在下游照明应用实现跨越式发展。

　　重点技术实现突破

　　《规划》提出，到2015年，实现从基础研究、前沿技术、应用技术到示范应用全创新链的重点技术突破，关键生产设备、重要原材料实现国产化;重点开发新型健康环保的半导体照明标准化、规格化产品，实现大规模的示范应用;建立具有国际先进水平的公共研发、检测和服务平台;建成一批试点示范城市和特色产业化基地，培育一批拥有知名品牌的龙头企业，形成具有国际竞争力的半导体照明战略性新兴产业。

　　科技部高新司负责人表示，为了实现上述目标，专项规划对半导体照明全创新链进行了全面部署，在前沿技术方面，重点布局大尺寸Si衬底等白光LED制备技术，单芯片白光、UV-LED、OLED等新型白光照明技术，高光效、高可靠、低成本的核心器件产业化技术，核心装备和关键配套原材料国产化等内容;在应用技术研究方面，重点布局低成本、替代型和多功能创新型半导体照明产品及系统开发，半导体照明创新应用产品开发及示范等内容;建设创新机制体制开放的、国际化的公共研发平台;通过示范应用，推动“十城万盏”试点工作顺利实施。

　　在2015年，产业化白光LED器件光效达到国际同期先进水平(150~200lm/W)，硅基半导体照明、创新应用、智能化照明系统开发等达到世界领先水平;产业规模达到5000亿元。建成50个“十城万盏”试点示范城市;建立国际化、开放性的国家公共技术研发平台。