安森美半导体现为下一代架构提供的总包解决方案和完整的参考设计，是专为解决复杂的电源设计挑战而设计的，这些挑战来自新的工艺技术、更快的时钟速度和更高的电流要求。当安森美半导体的高度集成电源控制器、最先进的VRM 10.1控制器、高性能门驱动器和针对计算机的MOSFET一起使用时，能提供最新工艺技术所要求的更低电压电平、更严格容差和更高电流要求。



        芯片组和DDR存储器电源解决方案 


        安森美半导体的新型高集成NCP5210控制器与NTD60N02R MOSFET为下一代计算机芯片组和DDR存储提供全方位、可刻度的电源解决方案。NCP5210将VDDQ电源和MCH磁心电压电源的两个脉宽调制（PWM）降压转换器与VTT端头电压的2.1安培（A）源-汇线性电源稳压器相结合。NTD60N02R的低临界电压具有低门-驱动电压的良好传导特性。 

        CPU电源解决方案


        安森美半导体支持下一代芯片组与处理器的CPU或Vcore主处理器电源解决方案包括VRM 10.X 控制器的NCP5314系列。与NCP5351 或 NCP5355门驱动器以及公司的新型低电压MOSFETS系列结合使用，该解决方案构成一个高性能、高功效、多相的降压稳压器，能满足制造商的降压式电压稳压器（VRD）10.X电源规范。

        森美半导体应用于CPU电源的MOSFET系列包括NTD60N02R 与 NTD110N02R，分别用于高/低端同步整流配置，可获得很高电源转换效率。为此，NTD60N02R具有很低的门控充电，而NTD110N02R具有极低通导电阻。事实上，该低端24伏（V）NTD110N02R在10V电压下Rds(on)典型值为3.7 mohm--为业界Dpak器件最低的Rds(on)额定值之一，并提供业界最佳的效益指数--170 mohm-mC