电力电子装臵 CPU ，布局 IGBT 符合国家战略需求 。IGBT是由 BJT和 MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。具有驱动功率小、输入阻抗大、控制电路简单、通断速度快、工作频率高和开关损耗小等优点，被广泛应用在电动汽车、新能源装备、智能电网、轨道交通和航空航天等领域。IGBT 是能源变换和传输的最核心器件，俗称电力电子装臵的 CPU，是目前最先进应用最广泛的第三代功率半导体器件。作为国家战略性新兴产业，IGBT 在设计国家经济安全、国防安全等领域占据重要地位。

IGBT 结构示意图及等效电路图

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IGBT 技术演进图

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　　进口替代国是我国 IGBT 发展趋势。我国 IGBT 器件 90%依赖进口，国产市场份额主要被欧美、日本企业垄断。中国 IGBT 企业在研发与制造工艺方面极度缺乏经验，与世界先进水平差距很大。同时 IGBT 都是关键设备上的核心部件，设备厂商更换国产产品风险很大，这也是制约国内企业产品进入高端市场的障碍。近年在政策支持和市场推动下，IGBT 产业得到迅速发展，“十一五”和“十二五”期间，国家也组织实施了众多的 IGBT 研发和产业化项目，和 28nm/16nm 集成电路制造一样，IGBT 也被列为国家“02 专项”的重点扶持项目。目前国产化进程正在提速阶段，国内摆脱进口依赖的期望持续增强。

2014年国内 IGBT市场份额

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我国 IGBT 市场规模不断上升

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　　新能源是汽车和充电桩是 IGBT 未来 最大的增量市场。受益于新能源电动汽车、智能电网、轨道交通的快速发展，未来 IGBT 市场将迎来爆发。从成本上看，IGBT 模块占新能源汽车控制器成本约 50%，占电动汽车成本约 10%，占充电桩成本约 20%，预计未来 5 年新能源电动汽车和充电桩将带动 IGBT 模块快速增长。2014 国内 IGBT市场规模 92.2 亿元，占全球市场 1/3 左右，预计“十三五”期间复合增长率 15%，到 2020 年国内市场规模将近 186 亿元。