IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领域，只要涉及到用电的各种场合，就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。

　　我国IGBT技术取得一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力，芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖。去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，占全球市场的40%以上，未来一段时期仍将保持15%以上的速度增长，市场潜力巨大。

　　在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下，国内IGBT的发展获得巨大的推动力，市场持续快速增长。2016年，国内IGBT市场规模达105.4亿元。近几年我国IGBT市场规模情况如下图所示：

2008-2016年我国IGBT市场规模情况

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